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Integrationsgerechte Schaltungstechniken I

Modulbezeichnung: Integrationsgerechte Schaltungstechniken I
Modulbezeichnung (engl.): Integration-Compliant Circuit Engineering I
Studiengang: Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2005
Code: E521
SWS/Lehrform: 4V (4 Semesterwochenstunden)
ECTS-Punkte: 4
Studiensemester: 5
Pflichtfach: ja
Arbeitssprache:
Deutsch
Prüfungsart:
Klausur nach dem 6. Semester
Zuordnung zum Curriculum:
E521 Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2005, 5. Semester, Pflichtfach
Arbeitsaufwand:
Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 4 Creditpoints 120 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 75 Stunden zur Verfügung.
Empfohlene Voraussetzungen (Module):
E104 Grundlagen der Elektrotechnik I
E203 Grundlagen der Elektrotechnik II
E303 Elektronik I
E402 Elektronik II


[letzte Änderung 12.03.2010]
Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
E616 Integrationsgerechte Schaltungstechniken II


[letzte Änderung 12.03.2010]
Modulverantwortung:
Prof. Dr. Albrecht Kunz
Dozent:
Prof. Dr. Albrecht Kunz


[letzte Änderung 12.03.2010]
Lernziele:
Die Studenten erlangen ein breit angelegtes Wissen über die aktuellen verwendeten mikroelektronischen Produktionsverfahren. Dieses Wissen soll es ihnen ermöglichen, die Grenzen und Möglichkeiten von integrierten Halbleiterbauelementen und den dazugehörigen Schaltkreisfamilien einschätzen zu können.
Die Studenten verfügen über detailliertes Wissen über die gebräuchlichen Schaltkreisfamilien. Sie können die Unterschiede zwischen den unterschiedlichen Schaltkreisfamilien verstehen und unter Zuhilfenahme von numerisch erzeugten Simulationsergebnissen hinsichtlich möglicher Anwendungsmöglichkeiten bewerten.
Die Studenten sind im späteren Berufleben befähigt, bei gegebenem Anforderungsprofil die Auswahl geeigneter Bauelemente für künftige Entwicklungs- und Forschungsaktivitäten vorzunehmen.

[letzte Änderung 13.12.2009]
Inhalt:
1.Technologische Prozesse:
  1.1.Trends in der Mikroelektronik,
  1.2.Materialien,
  1.3.Waferherstellung,
  1.4.Oxidation,  Lithografie, Ätztechniken, Dotiertechniken,
  1.5.Depositionsverfahren,
  1.6.MOS- und Bipolar-Technologien zur Schaltungsintegration,
  1.7.Integrationsbeispiele.
2.Halbleiter-Schaltkreisfamilien:
  2.1.Dioden-Transistor-Logik
  2.2.Transistor-Transistor-Logik,
  2.3.Emittergekoppelte Logik,
  2.4.Integrierte  Injektionslogik,
  2.5.NMOS- Schaltungen,

[letzte Änderung 13.12.2009]
Lehrmethoden/Medien:
Folien, PC, Beamer

[letzte Änderung 13.12.2009]
Literatur:
Baker, R. Jacob: CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Press Series on Microelectronic Systems,
Uyemura, John P.: CMOS Logic Circuit Design, Kluwer Academic Publishers,
DeMassa, Thomas A.: Digital Integrated Circuits, John Wiley & Sons,
Hilleringmann, U.: Silizium Halbleitertechnologie, Teubner-Verlag,
Wupper, H.: Elektronische Schaltungen, Band 1 und 2, Springer-Verlag,
Rein, H. – M.: Integrierte Bipolarschaltungen, Springer-Verlag,
Post, H. – U.: Entwurf und Technologie hochintegrierter Schaltungen, Teubner-Verlag,
Paul, Reinhold: Einführung in die Mikroelektronik, Hüthig-Verlag,
Hoppe, Bernhard: Mikroelektronik, Band 1 und 2, Vogel-Verlag.

[letzte Änderung 13.12.2009]
[Fri Dec  4 02:46:01 CET 2020, CKEY=eisi, BKEY=e, CID=E521, LANGUAGE=de, DATE=04.12.2020]