EE305 P212-0023 ee 3 V 1 U 5 3 ja Deutsch Klausur EE305 Erneuerbare Energien/Energiesystemtechnik 3 Pflichtfach EE305 Erneuerbare Energien/Energiesystemtechnik 3 Pflichtfach Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtaufwand des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 105 Stunden zur Verfügung. EE104 Grundlagen Elektrotechnik I EE203 Messtechnik EE204 Grundlagen Elektrotechnik II EE530 Simulation elektrischer Energiesysteme EE602 Dezentrale Elektroenergiesysteme und Stromspeicher Prof. Dr. Wenmin Qu wqu Prof. Dr. Wenmin Qu wqu Vorlesung Die Studierenden sind in der Lage: - Halbleiterbauelementen und elektronischen Schaltungen zu klassifizieren und zu erläutern - einfache und häufig vorkommender Schaltungen, insbesondere Leistungsansteuerungsschaltungen und Operationsverstärkerschaltungen zur analogen Signalverarbeitung zu entwerfen und zu berechnen - kompliziertere Schaltungen nachzuvollziehen und zu begreifen • Einführung: Halbleiter-Materialien, Dotierung, p- und n-Leiter, Planartechnik, Moore`s law. • Dioden: Aufbau und Funktionsprinzip, Ersatzschaltbild und Kennlinie; Spezielle Dioden und Solarzelle. Anwendungen von Dioden als Gleichrichter, Amplitudenbegrenzer, Hüllkurvendemodulator und Spannungsstabilisator. • Bipolartransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Kennlinien und Arbeitsbereich, Statische und dynamische Eigenschaften, Arbeitspunkteinstellung, Transistorgrundschaltungen, Stromspiegel und Stromquelle, Temperaturverhalten und Stabilisierung. • Thyristoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Eingangs- und Ausganskennlinien, Thyristor als steuerbaren Gleichrichter, Phasenanschnittsteuerung. • Feldeffekttransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip von Sperrschicht-, Isolierschicht-, n-Kanal- und p-Kanalfeldeffekttransistoren, Kennlinien und Eigenschaften, FET-Schaltungen. • Leistungselektronik: Leistungsdioden und Leistungstransistoren, Darlingtontransistoren, IGBT, Transistor als Schaltelement für Energiesteuerung, Ausräumstrom und Verzögerungszeit, Verlustleistung und Wärmeableitung, Dimensionierung des Kühlköpers. Leistungsverstärker, A-, B- und AB-Betrieb, Komplementärendstufe. • Operationsverstärker: Aufbau und Eigenschaften, Betriebsspannung und Aussteuerbarkeit. Grundschaltungen mit Operationsverstärkern, Kenndaten, Gegenkopplungsprinzip, Frequenzgang, Verstärkungs-Bandbreiteprodukt, Schaltungsdimensionierung und Stabilität; Lineare und nichtlineare Analogrechenschaltungen, Komparator-Schaltungen, Schmitt-Trigger, Multivibrator, aktive Filter mit Operationsverstärkern, Oszillatoren, Frequenzstabilität. • Grundlagen der Digitalelektronik: Logische Grundfunktionen, nMOS, pMOS Transistoren als logische Schalter, CMOS-Gatter, Realisierung komplexer logischer Funktionen PC, Beamer M. J. COOKE: Halbleiter-Bauelemente; Hanser Verlag, ISBN 3-446-16316-6 M. REISCH: Elektronische Bauelemente; Springer Verlag, ISBN 3-540-60991-1 A. MÖSCHWITZER: Grundlagen der Halbleiter- & Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente; Hanser Verlag BYSTRON/BORGMEYER: Grundlagen der technischen Elektronik; Hanser Verlag R. MÜLLER: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik; Springer Verlag J. MILLMAN, A. GRABEL: Microelectronics; Mc Graw Hill Verlag, ISBN 0-07-100596-X TIETZE, SCHENK: Halbleiterschaltungstechnik; Springer Verlag GIACOLETTO, LANDEE: Electronics Designer"s Handbook; Mc Graw Hill Verlag GÜNTHER KOß, WOLFGANG REINHOLD: Lehr- und Übungsbuch Elektronik; Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6 Sat May 9 22:27:24 CEST 2026, CKEY=ees, BKEY=ee, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=09.05.2026